Qualcomm официально анонсировала Snapdragon 835
В рамках выставки CES 2017 в Лас-Вегасе компания Qualcomm анонсировала свой новый процессор Qualcomm Snapdragon 835 для мобильных устройств. Он пришёл на смену выпущенному в прошлом году чипу Snapdragon 820.
Snapdragon 835 стал первым коммерческим продуктом Qualcomm, который производится с использованием нового 10-нанометрового технологического процесса FinFET Samsung. Он также стал первым мобильным процессором с поддержкой Bluetooth 5.0. Чип поддерживает VR и Windows 10.
Qualcomm Snapdragon 835 использует те же вычислительные ядра Kryo на базе архитектуры ARMv8, что и Snapdragon 820/821, но их количество увеличилось вдвое. Восемь ядер Kryo разбиты на два кластера. Один кластер из четырёх энергоэффективных ядер Kryo работает на тактовой частоте до 1.9 ГГц, а другой состоит из четырёх ядер Kryo с тактовой частотой до 2.45 ГГц и предназначен для выполнения сложных задач. Чип Snapdragon 835 стал примерно на 35% меньше и потребляет на 25% меньше энергии по сравнению с предшественником, что должно положительно отразиться на продолжительности времени автономной работы.
На смену графическому ускорителю Adreno 530 пришёл контроллер Adreno 540. Он обладает поддержкой OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan’s API и DirectX 12. Графическая производительность выросла на 25%. Благодаря Adreno 540 новый чип поддерживает запись видео в разрешении 4K (Ultra HD), а также воспроизведение 4K-контента. Есть и встроенный LTE-модем X16 с поддержкой LTE Cat.16 (скорость загрузки до 1 Гбит/с) и Cat.13 (скорость загрузки 150 Мбит/с).
Также в Qualcomm Snapdragon 835 дебютировала новая версия быстрой зарядки Quick Charge. Quick Charge 4.0 на 20% быстрее и на 30% эффективнее, чем Quick Charge 3.0. Новая технология поддерживает спецификацию USB-C Power Delivery.
Компания Samsung уже приступила к массовому производству Snapdragon 835 по 10-нанометровым нормам. Первые устройства на базе Snapdragon 835 появятся в первой половине 2017 года.